產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
薄膜鉑熱電阻作為的溫度測(cè)量和調(diào)節(jié)的傳感器，通常用來和顯示儀表等配套，以直接測(cè)量生產(chǎn)過程中-79℃～600℃范圍內(nèi)液體，蒸汽和氣體介質(zhì)及固體表面等溫度。
詳情介紹：
一、概述：
薄膜電阻、薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑成粉漿，采用的激光噴濺薄膜及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成。
二、薄膜電阻參數(shù)：
1.薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2.鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3.薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
薄膜電阻、薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑成粉漿，采用的激光噴濺薄膜及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成。
二、薄膜電阻參數(shù)：
1.薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2.鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3.薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4.引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5.規(guī)格型號(hào)：
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型號(hào)
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規(guī)格
長(zhǎng)×寬×高
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阻值
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測(cè)量電流
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精度
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測(cè)量范圍
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熱響應(yīng)時(shí)間
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WZP-020
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3.2×1.6×1.0
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PT100
PT100
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≤1mA
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A
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-50～550℃
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≤0.3S
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WZP-020
|
5.0×2.0×1.1
|
PT50
|
≤2mA
|
A
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-50～400℃
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|
|
WZP-020
|
5.0×2.0×1.0
|
PT10
|
≤0.5mA
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B
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-50～500℃
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6.精度等級(jí)：
等級(jí)
α
0℃時(shí)的電阻值（Ω）
允許偏差（Ω）
A
0.003851
100.00
±0.150+0.002t
B
0.003851
100.00
±0.30+0.005t
三、產(chǎn)品性能：
薄膜電阻、薄膜鉑熱電阻作為的溫度測(cè)量和調(diào)節(jié)的傳感器，通常用來和顯示儀表等配套，以直接測(cè)量生產(chǎn)過程中-79℃～600℃范圍內(nèi)液體，蒸汽和氣體介質(zhì)及固體表面等溫度。
1.測(cè)溫范圍、允差：
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名稱
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型號(hào)
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分度號(hào)
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測(cè)溫范圍
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等級(jí)
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允許偏差
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鉑電阻
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WZP
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Pt100
Pt10
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-200~±650℃
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A
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±（0.15+0.02t）
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|
B
|
±0.30+0.005t
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||||
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銅電阻
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WZC
|
Cu50
Cu100
|
-50~+150℃
|
|
±（0.30+0.006t）
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2.熱響應(yīng)時(shí)間：
在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間，用t0.5表示。
3.自熱影響：
鉑電阻允許通過電流1mA，大測(cè)量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱值的偏差：
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名稱
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等級(jí)
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α
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α
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鉑電阻
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A
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0．003851
|
±0.000006
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|
B
|
±0.000012
|
||
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銅電阻
|
|
0．004280
|
±0.000020
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5.絕緣電阻：
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對(duì)濕度小于80%時(shí)熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
四、結(jié)構(gòu)圖：
